光束輪廓
單模VCSEL的遠場密度分佈完全符合高斯模式
單模VCSEL
由於光學特性經過改良，單模VCSEL成為高要求感應系統應用的理想選擇。創新型晶片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制，同時偏振實現線性穩定。
高斯模式光束輪廓
絕對對稱的高斯模式光束輪廓明顯簡化應用光學設計。
小光束發散角
張角的範圍為 20°（1/e2）或更小，可重複再現，簡化了射束傳導。
窄光譜寬度
由於雷射線的光譜寬度通常為100 MHz，此類雷射器專為光譜應用而設計。
低能量消耗
能量消耗僅為數毫瓦，因此可採用電池工作模式實現移動應用。
用於高精度定位的光學編碼器
單模VCSEL具有高斯模式光束輪廓、低能量消耗、長相干長度與出色可靠性等特點，因此非常適合光學編碼器應用。
FTIR（Fourier-transform infrared spectroscopy，傅里葉轉換紅外光譜）
憑藉放射波長的低溫度依賴性 (0.06 nm/K) 與通常為100MHz的窄帶光譜發射，溫度穩定型單模VCSEL特別適合用作FTIR光譜儀的波長基準。
氧氣感應器
單模VCSEL非常適合TDLAS（Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy，可調諧二極體雷射吸收光譜）應用。TDLAS系統得益於具有TEC的單模VCSEL所提供的較窄線寬和精細可控。
高精度深度感應系統
單模VCSEL陣列非常適合高精度ToF（Time-of-Flight，飛行時間）應用。使用單模VCSEL陣列可以進行幾米到0 mm範圍內的線性深度量測。
850 nm 晶片
850 nm 晶片不僅輸出高，還同時具備耗電量低的優點。該晶片適合大容量以及高集成的應用。雷射二極體將作為帶載晶片供貨。這一供貨方式要求採用自動拾取或貼片製程來加工雷射器二極體。
具有高斯模式光束輪廓的小型940 nm VCSEL陣列
用於高精度飛行時間感應器的12個發射器微型單模VCSEL陣列。具有高斯模式光束輪廓和超短上升及下降時間的VCSEL陣列。
850 nm ViP（集成有光電二極體的 VCSEL）
內置的 VCSEL 解決方案 ViP 裝備一個光電二極體，它直接內置於 VCSEL 內，用於接收和進一步處理反射信號。因此該專利解決方案還支持自混合干涉技術（簡稱：SMI）。SMI 是一種可靠的光學測量方法，廣泛應用於工業感應系統以及消費類電子產品。
760 nm – 766 nm VCSEL
每個配備單發射器的 VCSEL 均可提供 0.3 mW 的輸出。波長範圍在 760 nm 和 766 nm 之間的 VCSEL 適合用於氧氣測量和氣體感應系統。組件 TO 封裝以方便處理和整合。
TO 封裝
VCSEL 採用 TO 封裝外殼，方便處理雷射二極體，適合在嚴苛的環境條件下運行。此外還可進行燒機試驗，內置的穩壓二極體會降低ESD靈敏度。
TO，帶 TEC
對於需要大溫度視窗或者要求雷射二極體具備光譜穩定性的應用，適宜採用內置 TEC 的 TO 封裝。帕爾帖組件允許藉助NTC電阻精確調節雷射溫度，外殼密封性則防止VCSEL發生冷凝。
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工業級感應系統：顆粒物測量
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工業級感應系統宣傳冊：高精度且穩定耐用的 VCSEL 解決方案
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ViP白皮書
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規格資料表：具有高斯模式光束輪廓的小型940 nm VCSEL陣列
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規格資料表：ViP（集成有光電二極體的 VCSEL）
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資料表，850 nm 單模且偏振穩定的 VCSEL
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資料表，用於氧氣測量的 760 nm VCSEL 資料表
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資料表，用於氧氣測量的 763 nm VCSEL 資料表
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General Terms and Conditions TRUMPF Photonic Components
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