用於光學資料通信的光電二極體不僅可提供不同的資料傳輸速率和波長,還可用作 1x1 晶片或 1x2、1x4、1x8 或 1x12 陣列
高速光電二極體
憑藉我們在850 nm PIN二極體開發與製造領域的數十年經驗,TRUMPF高速光電二極體可滿足極高的效能、效率與可靠性要求。它們可用於高達112 Gbps的資料傳輸率,分別用作晶片或者陣列。
您將同時獲益於高應答靈敏度與低暗電流。
豐富的檢測與鑒定流程確保最高可靠性。
除了波長為 850nm 的光電二極體外,還有更長的波長可供選擇。
除了光電二極體,TRUMPF 還提供高速 VCSEL,即相互協調的對。
適用於無線電收發兩用機、AOC與板載光學器件的接收器組件
我們Datacom VCSEL的完美伴侶。
100G 光電二極體,波長 840 - 960 nm
這款PIN光電二極體具有直徑為25 µm的光敏面,適用于高達100 Gbps PAM4的資料傳輸速率。
56G 光電二極體,波長 850 nm
這款PIN光電二極體具有直徑為38 µm的光敏面,適用于高達56 Gbps PAM4的資料傳輸速率。
25G 光電二極體,波長 850 nm
這款PIN光電二極體具有直徑為42 µm的有效作用面,適用於高達25 Gbps的資料傳輸率。
14G 光電二極體,波長 850 nm
憑藉直徑為55 µm的有效作用面,這款PIN光電二極體設計用於高達14 Gbps的資料傳輸率。
10G 光電二極體,波長 850 nm
這款PIN光電二極體具有直徑為70 µm的有效作用面,適用於高達10 Gbps的資料傳輸率。
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