高功率種子模組 (HPSM) 包括兩個產生幾瓦輸出脈衝的種子雷射器,以及使雷射束成型並確保最佳脈衝寬度的眾多有源和無源光學元件。利用第一個放大器將光預放大到100 W的數量級。透過保護機制最佳保護種子雷射器免受背反射光影響,因此系統整體的穩定性顯著提高,可達到所需的恒定EUV功率。
CO2雷射器
透過雷射脈衝為未來生產微晶片奠定基礎。
EUV 微影技術是數位時代的推動者
EUV光刻是未來微晶片製造方法中的翹楚。多年來,半導體產業一直在尋找符合成本效益並且能批量處理的方法,以便藉此曝光矽晶圓上的更小結構。ASML、Zeiss與TRUMPF合作開發了一項技術,用以獲得波長為13.5奈米的工業用極紫外光 (EUV):在真空室內,液滴發生器每秒發射50,000個錫液滴。每一個液滴被50,000個雷射脈衝中的一個擊中並變為電漿。由此產生EUV光,再透過反射鏡將其引到需要曝光的晶圓上。用於電漿輻射的雷射脈衝來自TRUMPF開發的脈衝式CO2雷射系統——TRUMPF雷射放大器。
從幾瓦到40千瓦
TRUMPF雷射放大器將雷射脈衝連續放大10,000倍以上。
高效且流程安全
透過發出預脈衝與主脈衝可將雷射放大器的全部功率傳送至錫液滴。
CO2雷射器的新應用
處於連續波運行的CO2雷射器是高性能雷射系統的基礎。TRUMPF以此創造了一項新的技術應用。
龐大的專家網路
經過多年的密切合作,TRUMPF、ASML和ZEISS使EUV技術達到工業規模的成熟水準。
TRUMPF雷射放大器的核心元件
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