อิเล็กทรอนิกส์

เลเซอร์ของ TRUMPF ผลิตผลิตภัณฑ์ที่ผลิตซ้ำได้และคุณภาพสูง&ที่กำหนดไว้สำหรับอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ &และด้วยจำนวนชิ้นที่สูงมากเช่นกัน เลเซอร์พัลส์สั้นมากของ TRUMPF เพียงอย่างเดียวมากกว่า 1,000 เครื่องทำงานตลอดเวลา 365 วันต่อปีในสภาพแวดล้อมการผลิตของผู้นำอุตสาหกรรมทั่วโลก TRUMPF จะส่งมอบโซลูชันเครื่องจักรหรือแพ็คเกจเทคโนโลยีเลเซอร์แต่ละแพ็กเกจโดยขึ้นกับขอบเขตการใช้งาน ในทั้งสองกรณีลูกค้าจะได้ประโยชน์จากเครือข่ายบริการที่ถูกจัดตั้งขึ้นทั่วโลกของกลุ่มบริษัท TRUMPF

การเกิดขึ้นของไมโครอิเล็กทรอนิกส์และพื้นฐานของคอมพิวเตอร์และสมาร์ทโฟนปัจจุบันของเราเป็นสิ่งที่เป็นไปไม่ได้หากขาดเทคโนโลยีเลเซอร์ ชิพตรรกะและหน่วยความจำแสดงให้เห็นโครงสร้างในระดับนาโนเมตร และสามารถผลิตด้วยกระบวนการฉายแสงที่ซับซ้อนด้วยลำแสงเลเซอร์เท่านั้น วิธีการดั้งเดิมที่ใช้ลำแสงเลเซอร์ UV จากเอกไซเมอร์เลเซอร์มาถึงขอบเขตมากขึ้นเรื่อย ๆ แล้ว ในอนาคตโครงสร้างขนาดเล็กกว่าสามารถทำได้ด้วยการสร้างความยาวคลื่นที่สั้นกว่าเท่านั้น ในช่วงของอัลตราไวโอเลตที่สั้นมาก (EUV) TRUMPF ได้ทำงานร่วมกับผู้ผลิตระบบพิมพ์หินรายใหญ๋ ASML และผู้เชี่ยวชาญด้านออพติก Zeiss อย่างจริงจังเป็นเวลายาวนานในกระบวนการพิมพ์หิน EUV นี้& และพัฒนาระบบเลเซอร์ CO₂ ที่เป็นเอกลักษณ์ระดับโลก ดังนั้นในอนาคตจึงมีเทคโนโลยีของ TRUMPF อยู่หนึ่งส่วนในชิพประสิทธิภาพสูงจำนวนมาก

เครื่องกำเนิดพลาสมาของ TRUMPF Hüttinger มีบทบาทที่สำคัญในการผลิตชิพอย่างแท้จริงเช่นกัน คุณภาพของแหล่งกำเนิดกระแสไฟฟ้ากำหนดคุณภาพและความแม่นยำของพลาสมาที่ถูกสร้าง พลาสมานี้จะถูกใช้สำหรับการเติม (การฝังไอออน) การตัด (PECVD, ALD) หรือการนำออก (การกัดกร่อนด้วยพลาสมา) ของวัสดุต่าง ๆ สำหรับการผลิตชิพสารกึ่งตัวนำในขั้นตอนถัดไป ระหว่างกระบวนการนี้จะเกิดก๊าซพิษที่ระบบพิเศษในเครื่องกำเนิดไฟฟ้าของ TRUMPF Hüttinger ทำความสะอาดอย่างมีประสิทธิภาพ โดยที่ร่องรอย CO₂ ในการผลิตสารกึ่งตัวนำคงไว้ในระดับต่ำที่สุดเท่าที่จะเป็นไปได้

หลังจากการฉายแสงและการสร้างวงจรบนเวเฟอร์ซิลิคอนการแบ่งเป็นชิพที่แยกต่างหากแต่ละชิ้นเป็นความท้าทายขั้นต่อไปของห่วงโซ่กระบวนการอิเล็กทรอนิกส์ เพื่อให้ได้รอยจากการตัดขนาดเล็กที่สุดและมีคุณภาพของขอบที่สูงรวมทั้งชิพที่อ่อนไหวไม่เสียหายจากผลกระทบทางอุณหภูมิจะใช้การตัดแบ่งด้วยเลเซอร์พัลส์สั้นมากของ TRUMPF วิธีการนี้ช่วยให้การทำงานกับวัสดุไม่มีผลกระทบจากความร้อนที่ไม่พึงประสงค์ และความแม่นยำสูงสุดภายใต้การทำงานด้วยเลเซอร์ รวมทั้งสำหรับการตัดโมดูลที่อ่อนไหว (ระบบในแพ็คเกจ) การทำงานกับแผงวงจรหลายวัสดุและการเจาะสิ่งที่เรียกว่าไมโครไบแอสในซิลิคอนและแก้วเหมาะกับเลเซอร์นี้ นอกจากนี้อุตสาหกรรมยังใช้เลเซอร์ของ TRUMPF สำหรับการลอกผิวแบบกำหนดเป้าหมาย การตัดฟิล์ม รวมทั้งสำหรับการทำเครื่องหมาย

การผลิตคริสตัลสังเคราะห์เป็นพื้นฐานสำหรับการผลิตสารกึ่งสังเคราะห์& และเป็นพื้นฐานของเทคโนโลยีการสื่อสารและสื่อทั้งหมด ผิวโมโนคริสตัล& เติบโตบนฐานรองโมโนคริสตัลของวัสดุแบบเดียวกัน โดยที่รักษาโครงสร้างของคริสตัลไว้ กระบวนการนี้จะใช้ในการผลิต LED เป็นต้น เครื่องกำเนิดไฟฟ้าแบบอินดัคทีฟของ TRUMPF Hüttinger ช่วยให้มีการกระจายอุณหภูมิที่เป็นเนื้อเดียวและเสถียรด้วยการควบคุมเอาท์พุตที่รวดเร็วและแม่นยำ