การดึงผลึก

การผลิตผลึกสังเคราะห์ได้รับความสำคัญมากขึ้นเรื่อยๆ วัสดุกึ่งตัวนำ เช่น ซิลิคอน ซิลิคอนคาร์ไบด์ รวมถึงวัสดุออกไซด์ เช่น แซฟไฟร์ มีความสำคัญอย่างยิ่งสำหรับอุตสาหกรรม โดยสิ่งดังกล่าวถูกใช้เพื่อผลิตเวเฟอร์และพื้นผิวสำหรับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์และอุตสาหกรรมพลังงานแสงอาทิตย์

กระบวนการ PVT (การเคลื่อนที่ด้วยไอทางกายภาพ) ใช้สำหรับการผลิตซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ที่มีความบริสุทธิ์สูงในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ อุณหภูมิมากกว่า 2200°C จะถูกสร้างภายในเบ้าหลอมแกรไฟต์ที่ให้ความร้อนแบบเหนี่ยวนำเป็นอันดับแรก วัสดุขั้นเริ่มต้นจึงเปลี่ยนไปอยู่ในสถานะเป็นก๊าซ อนุภาคที่เกิดขึ้นจากคาร์บอนและซิลิคอนจะขนส่งโดยก๊าซพา เช่น อาร์กอน ผ่านกลไกขนส่งตามธรรมชาติไปยังผลึกเม็ดที่ตั้งอยู่ซึ่งมีอุณหภูมิต่ำ ในส่วนนั้นจะมีการควบแน่นและตกผลึกของผลึกเดี่ยวที่มีความบริสุทธิ์สูง โดยไม่มีปฏิกิริยาเคมีเกิดขึ้น การควบคุมอุณหภูมิในเครื่องเครื่องปฏิกรณ์ให้ถูกต้องถือเป็นสิ่งสำคัญที่จะทำให้กระบวนการลุล่วงไปได้ด้วยดี เครื่องกำเนิดไฟฟ้าที่มีช่วงความถี่ปานกลาง (5 – 0kHz) ที่มีกำลังไฟสูงสุดถึง 50kW สามารถนำมาใช้เพื่อให้ความร้อนแก่เครื่องปฏิกรณ์ได้