Genom årtionden av erfarenhet inom utveckling och tillverkning av 850 nm PIN-dioder klarar TRUMPF highspeed-fotodioder de högsta kraven i fråga om prestanda, effektivitet och tillförlitlighet. De finns tillgängliga för datahastigheter på upp till 112 Gbps, som chip eller array.
Dra nytta av hög svarskänslighet samtidigt med låg mörkerström.
Omfattande test- och kvalifikationsprocedurer säkerställer högsta tillförlitlighet.
Förutom fotodioder med 850 nm våglängd är även längre våglängder tillgängliga.
Förutom fotodioder erbjuder TRUMPF även highspeed VCSEL, alltså par som matchar varandra.
Passande motsvarighet till vår datakom-VCSEL.
Denna PIN-fotodiod har en aktiv yta på 25 µm i diameter och är lämplig för datahastigheter på upp till 100 Gbps PAM4.
Denna PIN-fotodiod har en aktiv yta på 38 µm i diameter och är lämplig för datahastigheter på upp till 56 Gbps PAM4.
Denna PIN-fotodiod har en aktiv yta på 42 µm i diameter och är lämplig för datahastigheter på upp till 25 Gbps.
Med en aktiv yta på 55 µm i diameter är denna PIN-fotodiod konstruerad för datahastigheter på upp till 14 Gbps.
Denna PIN-fotodiod har en aktiv yta på 70 µm i diameter och är lämplig för datahastigheter på upp till 10 Gbps.
Produktutbudet kan variera mellan olika länder och avvika från dessa uppgifter. Vi förbehåller oss rätten till ändringar gällande teknik, utrustning, pris och tillbehörsutbud. Kontakta din kontaktperson på plats för att få reda på om produkten finns tillgänglig i ditt land.
