Vďaka našim niekoľko desaťročí trvajúcim skúsenostiam vo vývoji a výrobe 850 nm PIN diód vyhovujú vysoko rýchle TRUMPF Highspeed fotodiódy najvyšším nárokom na výkon, efektivitu a spoľahlivosť. Sú dostupné pre rýchlosti prenosu dát až do 112 Gbps, buď ako čip alebo pole premenných (array).
Profitujte z vysokej prahovej citlivosti súčasne pri nízkom prúde za temna.
Rozsiahle procedúry testovania a kvalifikácie zabezpečujú najvyššiu spoľahlivosť.
Okrem fotodiód s vlnovou dĺžkou 850 nm sú dostupné aj väčšie vlnové dĺžky.
Okrem fotodiód ponúka TRUMPF aj vysoko rýchle Highspeed VCSEL, teda vzájomne zosúladené páry.
Vhodný protikus k nášmu Datacom VCSEL.
Tieto PIN fotodiódy majú aktívnu plochu s priemerom 25 µm a sú vhodné pre rýchlosti prenosu dát až do 100 Gbps PAM4.
Tieto PIN fotodiódy majú aktívnu plochu s priemerom 38 µm a sú vhodné pre rýchlosti prenosu dát až do 56 Gbps PAM4.
Táto PIN fotodióda má aktívnu plochu 42 µm v priemere a je vhodná pre množstvá dát do 25 Gbps.
Pri aktívnej ploche 55 µm v priemere je táto PIN fotodióda vytvorená pre množstvá dát do 14 Gbps.
Tieto PIN fotodiódy majú aktívnu plochu 70 µm v priemere a sú vhodné pre množstvá dát do 10 Gbps.
V závislosti od krajiny sú možné odchýlky od tohto sortimentu produktov. Zmeny v technike, výbave, cene a ponuke príslušenstva sú vyhradené. Spojte sa prosím s kontaktnou osobou u Vášho lokálneho partnera, ak si chcete overiť, či je produkt dostupný vo Vašej krajine.
