Fotodiódy pre optickú dátovú komunikáciu sú dostupné nielen v rôznych rýchlostiach prenosu a vlnových dĺžkach, ale aj ako samostatný čip 1x1 alebo pole premenných (array) 1x4 alebo 1x12.
Fotodiódy Highspeed
Vďaka našim niekoľko desaťročí trvajúcim skúsenostiam vo vývoji a výrobe 850 nm PIN diód vyhovujú vysoko rýchle TRUMPF Highspeed fotodiódy najvyšším nárokom na výkon, efektivitu a spoľahlivosť. Sú dostupné pre rýchlosti prenosu dát až do 100 Gbps, buď ako čip alebo pole premenných (array).
Profitujte z vysokej prahovej citlivosti súčasne pri nízkom prúde za temna.
Rozsiahle procedúry testovania a kvalifikácie zabezpečujú najvyššiu spoľahlivosť.
Okrem fotodiód s vlnovou dĺžkou 850 nm sú dostupné aj väčšie vlnové dĺžky.
Okrem fotodiód ponúka TRUMPF aj vysoko rýchle Highspeed VCSEL, teda vzájomne zosúladené páry.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/c/1/csm_Photonics-applications-datacom-datacenter_dff49fce2f_3c32a771e8.jpg)
Element prijímača pre Transceiver, AOC a On-Board-Optic
Vhodný protikus k nášmu Datacom VCSEL.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/e/8/csm_Photonics-Datacom-56G-Photodiode-product-picture_160355ffbf_279991b067.jpg)
100G fotodióda s 840 - 960 nm
Tieto PIN fotodiódy majú aktívnu plochu s priemerom 25 µm a sú vhodné pre rýchlosti prenosu dát až do 100 Gbps PAM4.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/0/0/csm_Photonics-Datacom-56G-Photodiode-product-picture_f44de09460_f67c46f9ca.jpg)
56G fotodióda s 850 nm
Tieto PIN fotodiódy majú aktívnu plochu s priemerom 38 µm a sú vhodné pre rýchlosti prenosu dát až do 56 Gbps PAM4.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/f/1/csm_Photonics-Datacom-25G-Photodiode-product-picture_dd2004c2d5_f4c3e03842.jpg)
25G fotodióda s 850 nm
Táto PIN fotodióda má aktívnu plochu 42 µm v priemere a je vhodná pre množstvá dát do 25 Gbps.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/2/f/csm_Photonics-Datacom-14G-Photodiode-product-picture_834664957c_88110ff235.jpg)
14G fotodióda s 850 nm
Pri aktívnej ploche 55 µm v priemere je táto PIN fotodióda vytvorená pre množstvá dát do 14 Gbps.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/2/d/csm_Photonics-Datacom-10G-Photodiode-product-picture_2f37663504_804046797e.jpg)
10G fotodióda s 850 nm
Tieto PIN fotodiódy majú aktívnu plochu 70 µm v priemere a sú vhodné pre množstvá dát do 10 Gbps.
V závislosti od krajiny sú možné odchýlky od tohto sortimentu produktov. Zmeny v technike, výbave, cene a ponuke príslušenstva sú vyhradené. Spojte sa prosím s kontaktnou osobou u Vášho lokálneho partnera, ak si chcete overiť, či je produkt dostupný vo Vašej krajine.