Фотодиоды для оптической передачи данных доступны не только с различными скоростями передачи данных и длинами волн, но и в виде микросхемы 1 x 1 или массива 1 x 4 или 1 x 12.
Высокоскоростные фотодиоды
Десятилетия опыта компании в разработке и производстве PIN-диодов с длиной волны 850 нм позволяют производить высокоскоростные фотодиоды TRUMPF, соответствующие самым строгим требованиям к мощности, эффективности и надежности. Предлагаются варианты со скоростью передачи данных до 100 Гбит/с, в форме микросхемы или массива.
Ваше преимущество — быстрое срабатывание при низком темновом токе.
Многочисленные тесты и процедуры контроля качества гарантируют высочайшую надежность.
В дополнение к фотодиодам с длиной волны 850 нм доступны и более длинные волны.
В дополнение к фотодиодам VCSEL компания TRUMPF также предлагает высокоскоростные фотодиоды VCSEL, т. е. согласованные пары.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/c/1/csm_Photonics-applications-datacom-datacenter_dff49fce2f_3c32a771e8.jpg)
Приемный элемент для трансиверов, AOC и бортовых оптических средств
Подходящая ответная часть для лазеров Datacom VCSEL.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/e/8/csm_Photonics-Datacom-56G-Photodiode-product-picture_160355ffbf_279991b067.jpg)
Фотодиоды со скоростью передачи данных 100 Гбит/с и длиной волны 840‑960 нм
Этот PIN-фотодиод обладает площадью активной поверхности 25 мкм в диаметре и подходит для передачи данных со скоростью до 100 Гбит/с PAM4.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/0/0/csm_Photonics-Datacom-56G-Photodiode-product-picture_f44de09460_f67c46f9ca.jpg)
Фотодиоды со скоростью передачи данных 56 Гбит/с и длиной волны 850 нм
Этот PIN-фотодиод обладает площадью активной поверхности 38 мкм в диаметре и подходит для передачи данных со скоростью до 56 Гбит/с PAM4.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/f/1/csm_Photonics-Datacom-25G-Photodiode-product-picture_dd2004c2d5_f4c3e03842.jpg)
Фотодиоды со скоростью передачи данных 25 Гбит/с и длиной волны 850 нм
Этот PIN-фотодиод обладает площадью активной поверхности 42 мкм в диаметре и подходит для передачи данных со скоростью до 25 Гбит/с.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/2/f/csm_Photonics-Datacom-14G-Photodiode-product-picture_834664957c_88110ff235.jpg)
Фотодиоды со скоростью передачи данных 14 Гбит/с и длиной волны 850 нм
PIN-фотодиод с площадью активной поверхности 55 мкм в диаметре подходит для передачи данных со скоростью до 14 Гбит/с.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/2/d/csm_Photonics-Datacom-10G-Photodiode-product-picture_2f37663504_804046797e.jpg)
Фотодиоды со скоростью передачи данных 10 Гбит/с и длиной волны 850 нм
Этот PIN-фотодиод обладает площадью активной поверхности 70 мкм в диаметре и подходит для передачи данных со скоростью до 10 Гбит/с.
В зависимости от страны, возможны отклонения от представленного ассортимента продукции и этих данных. Компания оставляет за собой право на внесения изменений в технологию, оснащение, цену и принадлежности. Свяжитесь с вашим контактным лицом, чтобы узнать, доступен ли данный продукт в вашей стране.
![High speed VCSELs and photodiodes High speed VCSELs and photodiodes](/filestorage/TRUMPF_Master/_processed_/9/2/csm_TRUMPF-Photonic-Components-Flyer-High-speed-VCSELs-photodiodes_7be3fda598.png)