Sistem electronic

Laserele TRUMPF permit fabricarea unor produse reproductibile, de înaltă calitate, concepute pentru domeniul electronicii, chiar și în loturi de mari dimensiuni. Peste 1.000 de lasere cu impulsuri ultrascurte TRUMPF lucrează permanent 365 de zile pe an în mediile de producție ale liderilor din domeniu din întreaga lume. În funcție de domeniul de utilizare, TRUMPF furnizează soluții sub forma unor mașini sau pachete individuale de tehnologie laser. În ambele cazuri, clienții beneficiază de rețeaua de service a Grupului TRUMPF, prezentă la nivel mondial.

Fără tehnologia laser, dezvoltarea microelectronicii, care stă la baza calculatoarelor și telefoanelor noastre inteligente nu ar fi posibilă. Cipurile logice și de memorie prezintă structuri de ordin nanometric, care pot fi generate numai prin intermediul unor procese complexe de expunere cu fascicul laser. Abordarea convențională cu radiație laser cu UV a laserelor cu excimer este pe cale de a-și atinge limitele. Pe viitor, structurile de mici dimensiuni vor putea fi obținute numai cu lungimi de undă și mai scurte, de ordinul ultravioletelor extreme (EUV). Împreună cu cel mai mare producător de sisteme de litografiere, ASML, și cu specialistul în sisteme optice, Zeiss, TRUMPF a lucrat la acest procedeu de litografie EUV timp de ani de zile, în cadrul unei colaborări intense și a dezvoltat un sistem laser CO₂ unic. Astfel, în viitor, o parte din tehnologia TRUMPF va fi prezentă în numeroase cipuri de mare putere.

Generatoarele cu plasmă TRUMPF Hüttinger joacă un rol fundamental și în ceea ce privește producția efectivă de cipuri. Calitatea alimentării cu tensiune definește calitatea și precizia plasmei generate. Aceasta este utilizată în etapa următoare pentru doparea (implantare ionică), precipitarea (PECVD, ALD) sau îndepărtarea (gravare cu plasmă) diferitelor materiale pentru fabricarea cipurilor semiconductoare. În timpul acestui proces, rezultă gaze nocive pentru mediu, care sunt curățate în mod eficient printr-un sistem special din generatoarele TRUMPF Hüttinger, astfel încât amprenta CO₂ din cadrul producției de semiconductori să fie menținută la un nivel cat mai redus posibil.

După expunerea și montarea conexiunilor pe plăci de siliciu, separarea în cipuri individuale reprezintă următoarea provocare a lanțului tehnologic din cadrul industriei electronice. Pentru a obține secționări cât mai mici posibile și o calitate ridicată a muchiilor, precum și pentru a evita deteriorarea cipurilor sensibile din cauza influențelor termice, la separare sunt utilizate lasere cu impulsuri ultrascurte TRUMPF. Acestea permit prelucrarea materialelor fără efecte termice indezirabile și cu o precizie maximă. De asemenea, aceste lasere sunt adecvate pentru decuparea modulelor sensibile (System-in-Package), prelucrarea circuitelor imprimate din materiale multiple și perforarea așa-numitelor microviasuri în siliciu și sticlă. De asemenea, laserele TRUMPF sunt utilizate în domeniu pentru îndepărtarea în mod specific a straturilor, decuparea foliilor, precum și pentru operațiuni de marcare.

Cristalogeneza sintetică constituie baza pentru fabricarea semiconductorilor, și astfel fundamentul tehnologiilor de comunicații și media. În acest sens, sunt dezvoltate straturi monocristaline pe substraturi monocristaline din același material, cu menținerea structurii cristalografice. Procedeul este folosit, printre altele, pentru fabricarea LED-urilor. Generatoarele prin inducție TRUMPF Hüttinger permit o distribuire omogenă și stabilă a temperaturii prin reglarea rapidă și precisă a valorilor de ieșire.