Tehnologia de depunere chimică din fază de vapori (CVD - Chemical Vapor Deposition) permite aplicarea unor straturi subțiri pe materiale de calitate diversă. În acest sens, este generat rapid din materiale gazoase un material de acoperire care se depune pe substrat ca strat cristalin sau amorf. În cadrul proceselor de acoperire convenționale, gazul de proces se descompune în produsele sale de reacție numai la nivelul suprafeței încălzite a substratului. La depunerea din fază de vapori asistată de plasmă (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD), această reacție are loc în prealabil. Materialul de acoperire rezultat se depune ulterior pe substrat. Astfel, procesul de acoperire este mai rapid la un grad de încărcare mai ridicat al gazului de proces. Un avantaj important al PECVD sunt temperaturile semnificativ mai scăzute. Acestea se situează sub 500 grade Celsius, menajând astfel materialul de substrat care urmează să fie acoperit.
Carte albă
Am pregătit pentru dumneavoastră câteva cărți albe interesante pe următoarele subiecte
Contact