Datorită experienței noastre de zeci de ani în domeniul dezvoltării și producerii de diode PIN de 850 Nm, fotodiodele de înaltă viteză de la TRUMPF îndeplinesc cele mai exigente cerințe legate de putere, eficiență și fiabilitate. Acestea sunt disponibile pentru rate de transfer al datelor de până la 112 Gbps, sub formă de cip, respectiv de matrice.
Beneficiați de o capacitate de răspuns ridicată la un curent de întuneric redus.
Procedurile de testare și calificare extensive asigură fiabilitate maximă.
Pe lângă fotodiodele cu lungimea de undă 850 nm, sunt disponibile și lungimi de undă mai mari.
Pe lângă fotodiode, TRUMPF oferă și diode VCSEL Highspeed, adică perechi asociate reciproc.
Elementul însoțitor ideal pentru produsul nostru Datacom VCSEL.
Această fotodiodă PIN dispune de o suprafață activă cu diametrul de 25 µm și este adecvată pentru rate de transfer a datelor de până la 100 Gbps PAM4.
Această fotodiodă PIN dispune de o suprafață activă cu diametrul de 38 µm și este adecvată pentru rate de transfer a datelor de până la 56 Gbps PAM4.
Aceste fotodiodă PIN are o suprafață activă cu diametrul de 42 µm și este adecvată pentru rate de transfer a datelor de până la 25 Gbps.
Cu o suprafață activă cu diametrul de 55 µm, această fotodiodă PIN este concepută pentru rate de transfer a datelor de până la 14 Gbps.
Această fotodiodă PIN dispune de o suprafață activă cu diametrul de 70 µm și este adecvată pentru rate de transfer a datelor de până la 10 Gbps.
În funcție de țară, este posibil ca această gamă de produse și aceste specificații să varieze. Ne rezervăm dreptul de a efectua modificări tehnice, privind dotările, prețul și oferta de accesorii. Vă rugăm să luați legătura cu persoana dumneavoastră de contact de la nivel local pentru a afla dacă produsul este disponibil în țara dumneavoastră.
