Os fotodiodos para a comunicação óptica de dados não estão disponíveis apenas em diferentes taxas de dados e comprimentos de onda, mas também como chip 1x1 ou matriz 1x4 ou 1x12.
Fotodiodos de alta velocidade
Graças à nossa experiência de décadas no desenvolvimento e fabricação de diodos PIN 850 nm, os fotodiodos de alta velocidade da TRUMPF atendem às maiores exigências em potência, eficiência e confiabilidade. Eles estão disponíveis para taxas de dados de até 100 Gbps, como chip ou matriz.
Aproveite a alta capacidade de resposta com baixa corrente de escuro.
Procedimentos abrangentes de teste e qualificação garantem a alta confiabilidade.
Além de fotodiodos com comprimento de onda de 850 nm, comprimentos de onda mais longos também estão disponíveis.
Além de fotodiodos, a TRUMPF também oferece VCSELs de alta velocidade, ou seja, pares adaptados entre si.
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Receptores para Transceiver, AOC e On-Board-Optics
A peça ideal para nosso VCSEL Datacom.
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Fotodiodo 100G com 840 - 960 nm
Este fotodiodo PIN conta com uma superfície ativa de 25 µm de diâmetro e é ideal para taxas de dados de até 100 Gbps PAM4.
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Fotodiodo 56G com 850 nm
Este fotodiodo PIN conta com uma superfície ativa de 38 µm de diâmetro e é ideal para taxas de dados de até 56 Gbps PAM4.
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Fotodiodo 25G com 850 nm
Esse fotodiodo PIN tem uma superfície ativa de 42 µm de diâmetro e é ideal para taxas de dados de até 25 Gbps.
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Fotodiodo 14G com 850 nm
Com uma superfície ativa de 55 µm de diâmetro, esse fotodiodo PIN foi concebido para taxas de dados de até 14 Gbps.
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Fotodiodo 10G com 850 nm
Esse fotodiodo PIN conta com uma superfície ativa de 70 µm de diâmetro e é ideal para taxas de dados de até 10 Gbps.
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