Graças à nossa experiência de décadas no desenvolvimento e fabricação de diodos PIN 850 nm, os fotodiodos de alta velocidade da TRUMPF atendem às maiores exigências em potência, eficiência e confiabilidade. Eles estão disponíveis para taxas de dados de até 112 Gbps, como chip ou matriz.
Aproveite a alta capacidade de resposta com baixa corrente de escuro.
Procedimentos abrangentes de teste e qualificação garantem a alta confiabilidade.
Além de fotodiodos com comprimento de onda de 850 nm, comprimentos de onda mais longos também estão disponíveis.
Além de fotodiodos, a TRUMPF também oferece VCSELs de alta velocidade, ou seja, pares adaptados entre si.
A peça ideal para nosso VCSEL Datacom.
Este fotodiodo PIN conta com uma superfície ativa de 25 µm de diâmetro e é ideal para taxas de dados de até 100 Gbps PAM4.
Este fotodiodo PIN conta com uma superfície ativa de 38 µm de diâmetro e é ideal para taxas de dados de até 56 Gbps PAM4.
Esse fotodiodo PIN tem uma superfície ativa de 42 µm de diâmetro e é ideal para taxas de dados de até 25 Gbps.
Com uma superfície ativa de 55 µm de diâmetro, esse fotodiodo PIN foi concebido para taxas de dados de até 14 Gbps.
Esse fotodiodo PIN conta com uma superfície ativa de 70 µm de diâmetro e é ideal para taxas de dados de até 10 Gbps.
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