Dzięki naszemu doświadczeniu w rozwoju i produkcji diod PIN 850 nm fotodiody TRUMPF Highspeed spełniają najwyższe wymagania dotyczące mocy, wydajności i niezawodności. Dostępne w wersjach do transmisji danych o prędkości do 112 Gbit/s, w każdym przypadku jako chip lub matryca.
Warto skorzystać z wysokiej wrażliwości przy niskim prądzie ciemnym.
Liczne procedury testowe i kwalifikacyjne zapewniają najwyższą niezawodność.
Oprócz fotodiod o długości fal 850 nm dostępne są również fotodiody o większej długości fali.
Oprócz fotodiod firma TRUMPF oferuje również szybkie Highspeed VCSEL, czyli dopasowane pary.
Pasujący element do naszego urządzenia Datacom VCSEL.
Aktywna powierzchnia tej fotodiody PIN ma średnicę 25 µm i może przekazywać dane z prędkością do 100 Gb/s PAM4.
Aktywna powierzchnia tej fotodiody PIN ma średnicę 38 µm i może przekazywać dane z prędkością do 56 Gb/s PAM4.
Aktywna powierzchnia fotodiody PIN ma średnicę 42 µm i może przekazywać dane z prędkością do 25 Gb/s.
Aktywna powierzchnia fotodiody PIN ma średnicę 55 µm i może przekazywać dane z prędkością do 14 Gb/s.
Aktywna powierzchnia fotodiody PIN ma średnicę 70 µm i może przekazywać dane z prędkością do 10 Gb/s.
W zależności od kraju możliwe są odstępstwa od podanego asortymentu i tych informacji. Zastrzega się możliwość zmian w technologii, wyposażeniu, cenie lub ofercie akcesoriów. Proszę skontaktować się z lokalną osobą kontaktową, aby ustalić, czy produkt jest dostępny w Państwa kraju.
