칩 또는 어레이
광 데이터 통신용 광 다이오드는 다양한 데이터 전송률과 파장뿐만 아니라 1x1 칩 또는 1x2, 1x4, 1x8 또는 1x12 어레이로도 사용할 수 있습니다
Highspeed 광 다이오드
850nm PIN 다이오드의 개발과 제조 분야에서 수십 년간의 축적된 경험을 통해 TRUMPF High Speed 광 다이오드는 높은 성능과 효율성 및 신뢰성을 보장합니다. 각각 칩 또는 어레이로 최대 112 Gbps의 데이터율로 사용할 수 있습니다.
낮은 암전류
낮은 암전류에서도 높은 반응 감도를 확보하십시오.
매우 높은 신뢰성
광범위한 테스트와 자격 증명 절차를 통해 높은 신뢰성을 제공합니다.
더 긴 파장
850 nm 파장의 광 다이오드 외에 더 긴 파장도 사용할 수 있습니다.
쌍으로 사용 가능
TRUMPF는 광 다이오드 외에 또한 Highspeed VCSEL, 즉 서로 일치하는 쌍을 제공합니다.
트랜시버, AOC, 온보드 옵틱용 수신기 컴포넌트
TRUMPF Datacom VCSEL과 잘 맞는 대상
840 - 960 nm의 100G 광 다이오드
PIN 광 다이오드는 직경 25 µm의 활성 영역을 통해 최대 100 Gbps PAM4 속도의 데이터 전송율에 사용하기 적합합니다.
850 nm의 56G 광 다이오드
PIN 광 다이오드는 직경 38 µm의 활성 영역을 통해 최대 56 Gbps PAM4 속도의 데이터 전송율에 사용하기 적합합니다.
850 nm의 25G 광 다이오드
이 PIN 광 다이오드는 직경 42µm의 활성 영역을 지니고 있으며 최대 25Gbps 속도의 데이터 전송율에 적합합니다.
850 nm의 14G 광 다이오드
PIN 광 다이오드는 직경 55µm의 활성 영역으로 최대 14Gbps 속도의 데이터 전송율을 내도록 설계되었습니다.
850 nm의 10G 광 다이오드
PIN 광 다이오드는 직경 70µm의 활성 영역을 통해 최대 10Gbps 속도의 데이터 전송율에 사용하기 적합합니다.
국가에 따라 이 제품 분류 및 기재 사항이 다를 수 있습니다. 기술, 사양, 가격 및 액세서리 제공 품목이 변경될 수 있습니다. 제품이 귀하의 국가에서 사용 가능한지에 대한 여부는 현지 담당자에게 문의하십시오.
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