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플라즈마 여기

TruPlasma DC 4000 시리즈 (G2)

우수한 표면을 위한 펄스 프로세스

고도 요건의 프로세스의 우수한 핸들링

TruPlasma 직류 시리즈 4000 (G2)는 특히 난가공재의 반응 스퍼터링을 위해 개발되었습니다. 펄스 직류로 작동하는 발진기는 특히 최고의 층 품질 및 생산성이 동시에 요구되는 주요 PVD, PECVD 프로세스에서 그 효과가 입증되었습니다. 콤팩트한 직류 프로세스 전류 공급은 바이어스 가동 모드로 설정될 수 있습니다 - 말하자면 하나의 하우징에서 2개의 장비 가동!

높은 층 품질 및 생산성

디지털 신호 처리는 안정적인 프로세스와 아크 조건에 의한 시간 손실의 최소화를 보장합니다.

주요 프로세스에서도 최상의 결과

신속한 아크 처리는 직류 펄스 기술과 함께 기판 손상을 최소화합니다.

단순한 프로세스 매칭

폭 넓은 주파수 스펙트럼 및 조정 가능한 예비 전압으로 인해.

콤팩트하고 견고한 구조

내장형 워터 쿨링은 공간을 절약하며 유지 보수 비용을 낮춥니다.

경질재 코팅

기능층들의 적층에 의해 부하가 심한 공작물의 표면 경도 및 마찰 점착력이 증대되고, 열적 및 화학적 안정성이 개선됩니다. TruPlasma DC Serie 4000 (G2) 펄스 발진기는 안정적 플라즈마 프로세스를 위해 기능하여 최적의 층 품질을 제공합니다.

금속화

PVD 프로세스를 이용하여 매우 얇은 금속층들은 다양한 물질들 상에 적층될 수 있어서, 이러한 금속층들은 최적의 광학적 및 전기적 특성을 얻게 됩니다. 전원 공급은 공정 파라미터에 따라 최적으로 조정됨으로써, 결함 없는 층들이 절대적으로 균일하게 증착될 수 있습니다.

솔라셀 제조

도전 물질(TCO)의 코팅은 솔라셀, 평면 스크린 및 터치스크린의 전기적 특성에 영향을 미칩니다. 이를 위해 아크 에너지가 매우 낮은 TruPlasma 직류 시리즈 4000 (G2) 펄스 발진기가 가장 적합합니다.

건축 유리

PVD 플라즈마 프로세스로 건축 유리를 대면적 코팅하는 것은 공정 전원 공급 요건이 매우 까다롭습니다. TruPlasma 직류 시리즈 4000 (G2) 펄스 발진기는 고품질 코팅 성과를 내기 위한 이상적 전제 조건입니다.

높은 층 품질 및 생산성

신속한 아크 처리 및 직류 펄스 기술을 조합하여 액적 발생율이 더 낮고 표면 결함이 더 적습니다. 아크로 인한 프로세스 중단은 최소화되고, 증착율은 현저하게 증대됩니다.

프로세스에 따른 유연한 조정

펄스 주파수는 폭 넓은 범위에서 조정될 수 있으며, 또한 직류 발진기의 바이어스 구동 모드가 가능합니다. 따라서 다수의 어플리케이션을 위해 동일한 기계를 사용할 수 있습니다. 정밀한 모니터링 툴을 통해 프로세스 최적화가 보조됩니다.

다양한 옵션을 이용하여 DC 펄스 발진기를 귀사 어플리케이션에 따라 최적으로 조정할 수 있습니다.

동시 구동 및 동기화

복수의 TruPlasma 직류 시리즈 4000 (G2) 직류 발진기는 동시에 가동될 수 있습니다. 이러한 모드는 상이한 타겟을 목적으로 한 복수의 발진기들에서 아크 인식을 동기화시킬 수 있습니다. 또한 펄스 모드도 동기화시킬 수 있습니다.

PVD Power

운영 친화적 다언어 소프트웨어 PVD Power는 프로세스 품질 최적화 및 효과적 고장 처리를 위한 다양한 조작, 설정 및 진단 옵션을 제공합니다: 모든 공정 관련 파라미터의 실제값, 경고 및 경보 알림의 표시, 조작자에 의한 목표값 설정 내용, 중요 운영 파라미터를 높은 시분해능으로 기록 및 시각화 (오실로코프 기능)

국가에 따라 이 제품 분류 및 기재 사항이 다를 수 있습니다. 기술, 사양, 가격 및 액세서리 제공 품목이 변경될 수 있습니다. 제품이 귀하의 국가에서 사용 가능한지에 대한 여부는 현지 담당자에게 문의하십시오.

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새로운 펄싱된 DC 테크놀로지
직류 스퍼터링 및 펄싱된 직류 스퍼터링은 산업 분야에서 가장 흔히 사용되는 스퍼터링 기술 중 하나입니다. 펄싱된 직류 기술의 도입으로 반응성 마그네트론 스퍼터링에 의해 생성된 비전도성 화합물 코팅의 대량생산이 가능해졌습니다.
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펄싱된 DC 스퍼터링의 애플리케이션
태양전지에 대한 가장 흥미로운 흡수 재료 중 하나는 구리-인듐-셀레나이드 기반(CIS) 재료로, 인듐의 일부를 갈륨으로 대체하여 CIGS로 알려진 Cu(In,Ga)Se2를 형성함으로써 특성을 변경할 수 있습니다.

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