국가/지역 및 언어 선택
고성능 반도체 제조에 사용되는 TRUMPF 레이저 증폭기
CO2 레이저

레이저 펄스를 통해 차기 마이크로칩 제조를 실현합니다.

디지털 시대를 열어갈 EUV 리소그래피

EUV 리소그래피는 차기 마이크로칩 제조 방식 경쟁에서 우위를 차지하고 있습니다. 반도체 산업은 수년 동안 실리콘 웨이퍼 광노출에 필요한 구조를 간소화할 수 있는 비용 효율적인 대량 생산 체제를 연구해 왔습니다. ASML과 Zeiss 그리고 TRUMPF는 테크놀로지 개발 협력을 통해 13.5 나노미터의 파장을 지닌 산업용 극자외 레이저(EUV)를 완성했습니다. 진공 챔버에서 입자 생성기가 초당 50,000개의 액체 주석 입자를 분사합니다. 이 입자들은 50,000개의 레이저 펄스에 충돌하여 플라즈마 형태로 변화합니다. 이렇게 생성된 극자외 레이저(EUV)는 집광 거울을 통해 광노출 대상인 웨이퍼로 향하게 됩니다. TRUMPF가 개발한 고성능 펄스 CO2 레이저 시스템은 플라즈마 레이저에 사용되는 레이저 펄스를 제공합니다 - TRUMPF 레이저 증폭기

40 킬로와트의 낮은 전력 소비

TRUMPF 레이저 증폭기는 레이저 펄스를 순차적으로 10,000배 이상 증폭시킵니다.

효율성과 공정 안정성

프리 펄스와 메인 펄스를 전송함으로써 레이저 증폭기의 출력을 온전히 주석 입자에 전달할 수 있게 됩니다.

CO2 레이저의 새로운 활용성

고출력 레이저 시스템의 기본은 cw 모드로 작동하는 CO2 레이저입니다. TRUMPF는 이를 통해 이러한 테크놀로지의 새로운 활용성을 열어줍니다.

대규모 전문가 네트워크

수년 동안 TRUMP과 ASML 그리고 ZEISS는 긴밀한 협력을 통해 EUV 테크놀로지를 산업 궤도에 올려 놓았습니다.

개의 부품

… 레이저 증폭기에 포함된

미터입니다

... 시스템에 내장된 케이블의 길이는

킬로그램

... 이에 대한 총중량은

TRUMPF 레이저 증폭기의 핵심 부품

본 주제에 흥미를 가질 수 있습니다.

EUV 리소그래피 항목 모음
미디어의 거울: EUV 리소그래피

전문 언론 및 대중 언론에서 발췌한 TRUMP 하이라이트 기사에서 EUV 리소그래피 주제에 대해 더 알아보십시오.

TRUMPF 레이저 증폭기로 제조된 반도체
EUV 리소그래피

극자외선광도, 현대식 컴퓨터칩도 필요하지 않습니다. TRUMPF의 CO2 고출력 레이저 설비가 반도체 제조 공정에서 어떤 역할을 수행하는지 여기에서 확인해보시기 바랍니다.

Visual Electronic
전자장치

레이저 가공에서부터 결정 성장에 이르기까지: TRUMPF는 전자 분야에서 고성능 반도체 제조를 위한 다양한 기초 기술을 제공합니다.

상담 요청하기
Hochleistungslasersysteme EUV-Lithografie
이메일
서비스 & 연락처