전자장치

TRUMPF 레이저는 전자장치 부문에 사용될 재생산 가능한 고품질의 제품을 대량으로 생산합니다. TRUMPF에서만 1,000개가 넘는 극초단 펄스 레이저가 전 세계를 선도하는 부문 리더의 생산 환경에서 연중무휴로 24시간 내내 작업을 처리합니다. 어플리케이션 범위에 따라 TRUMPF는 기계 솔루션 또는 개별 레이저 테크놀로지 패키지를 제공합니다. 두 경우 모두 고객은 전 세계에 구축된 TRUMPF 그룹의 서비스 네트워크로부터 혜택을 받을 수 있습니다.

마이크로 전자장치의 탄생과 이를 바탕으로 만들어진 오늘날의 컴퓨터와 스마트폰의 토대는 레이저 기술 없이는 불가능했을 것입니다. 로직 및 저장칩은 나노미터 크기순으로 된 구조를 보이며 레이저 빔을 이용한 복잡한 노출 공정을 통해서만 생산할 수 있습니다. 엑시머 레이저의 UV 레이점 빔을 사용하는 기존의 방식은 점점 더 한계에 부딪치고 있습니다. 더 작은 구조는 앞으로는 극자외(EUV) 영역의 단파를 이용해서만 만들어 낼 수 있습니다. 가장 큰 리소그래피 시스템 ASML 제조사와 광학장치 전문 기업 Zeiss와 함께 TRUMPF는 수년 간 각고로 협력하여 EUV 리소그래피  프로세스를 작업했으며, 세계에서 유래가 없는 CO₂ 레이저 설비를 개발했습니다. 따라서 향후 많은 고성능칩에 TRUMPF 테크놀로지 일부가 녹아들게 될 것입니다.

TRUMPF Hüttinger의 플라즈마 발진기는 기존의 칩 제조에 있어서도 매우 중요한 역할을 담당했습니다. 생산된 플라즈마의 품질과 정확도는 전원 공급 장치의 품질에 의해 결정됩니다. 다음 단계에서 이 플라즈마는 반도체 칩 제조를 목적으로 다양한 재료의 주입(이온 주입), 분리(PECVD, ALD) 또는 제거(플라즈마 에칭)에 사용됩니다. TRUMPF Hüttinger 발진기를 통해 이러한 공정 과정에서 발생하는 독성 가스를 효과적으로 제거할 수 있으며, 이를 통해 반도체 생산 과정에서 발생하는 CO₂량을 최소화할 수 있습니다.

이외에도 실리콘 웨이퍼에 회로를 노출시켜 새긴 후에 개별 칩으로 분리하는 것이 전자장치 프로세스 체인의 다음 과제입니다. 가능한 한 작은 절단 홈과 높은 에지 품질을 얻고 민감한 칩이 열의 영향을 받아 손상받지 않도록 분리 시에 TRUMPF의 극초단 펄스 레이저가 사용됩니다. 이 장비는 원치 않는 열의 영향 없이 재료 가공을 할 수 있도록 하며, 레이저 가공 시 최고의 정확도를 보여줍니다. 민감한 모듈(패키지 내 시스템)을 트리밍하고 재료 인쇄 회로를 가공하고 실리콘과 유리에 이른바 마이크로 비아를 천공하는 작업에는 이 레이저가 알맞습니다. 이외에도 이 부문에서는 특정 층 분리, 호일 절단 및 마킹에 TRUMPF 레이저를 사용합니다.

결정의 합성 제조는 반도체 제조의 기본이며  전체 커뮤니케이션 및 미디어 기술의 바탕입니다. 단결정  층은 동일한 재료의 단결정 기판에서 성장합니다. 이때 결정학상 순서가 유지됩니다. 이 프로세스는 무엇보다 LED 제조 시에 사용됩니다. TRUMPF Hüttinger 유도 발진기는 출력 크기의 빠르고 정확한 컨트롤을 통해 균일하고 안정적인 온도 분포를 가능하게 해줍니다.