光データ通信用のフォトダイオードは、各種データレートや波長のほか、1x1チップや、1x4アレイ、1x12アレイでもご用意しております。
高速フォトダイオード
当社は850 nm PINダイオードの開発と製造に関して何十年にも及ぶ経験を有しているため、TRUMPF高速フォトダイオードは性能、効率と信頼性に対する最高レベルの要件を満たしています。チップまたはアレイとして、それぞれ最大100 Gbpsの通信速度に対応しています。
高い受光感度と低い暗電流が両立していることが有利に働きます。
広範囲に及ぶテスト/品質保証プロセスを通して、最高レベルの信頼性が確保されます。
波長850 nmのフォトダイオードに加えて、より長い波長のものもご用意しております。
フォトダイオードに加えて、TRUMPFは切断プロセス VCSEL、つまり互換ペアも提供しております。
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トランシーバー、AOC及びオンボードオプティクス用受光素子
当社のDatacom VCSELを最適に補完。
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100G フォトダイオード、840 - 960 nm
このPINフォトダイオードは直径25 µmの有効受光面を有しており、最大100 Gbps PAM4の通信速度に適しています。
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56G フォトダイオード、波長850 nm
このPINフォトダイオードは直径38 µmの有効受光面を有しており、最大56 Gbps PAM4の通信速度に適しています。
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25G フォトダイオード、波長850 nm
このPINフォトダイオードは直径42 µmの有効受光面を有しており、最大25 Gbpsの通信速度に適しています。
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14G フォトダイオード、波長850 nm
直径55 µmの有効受光面を有するこのPINフォトダイオードは、最大14 Gbpsの通信速度に合わせて設計されています。
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10G フォトダイオード、波長850 nm
このPINフォトダイオードは直径70 µmの有効受光面を有しており、最大10 Gbpsの通信速度に適しています。
国によっては、この製品ラインナップと製品情報が異なる場合があります。技術、装備、価格及び提供アクセサリーは変更されることがあります。 現地担当者に問い合わせて、国内で製品を入手できるかどうかを確認してください。