チップまたはアレイ
光データ通信用のフォトダイオードは、各種通信速度や波長のほか、1x1チップや1x2、1x4、1x8、1x12アレイでもご用意しております
高速フォトダイオード
当社は850 nm PINダイオードの開発と製造に関して何十年にも及ぶ経験を有しているため、TRUMPF高速フォトダイオードは性能、効率と信頼性に対する最高レベルの要件を満たしています。チップまたはアレイとして、それぞれ最大112 Gbpsの通信速度に対応しています。
低暗電流
高い受光感度と低い暗電流が両立していることが有利に働きます。
極めて高い信頼性
広範囲に及ぶテスト/品質保証プロセスを通して、最高レベルの信頼性が確保されます。
より長い波長
波長850 nmのフォトダイオードに加えて、より長い波長のものもご用意しております。
ペアでご用意
フォトダイオードに加えて、TRUMPFは切断プロセス VCSEL、つまり互換ペアも提供しております。
トランシーバー、AOC及びオンボードオプティクス用受光素子
当社のDatacom VCSELを最適に補完。
100G フォトダイオード、840 - 960 nm
このPINフォトダイオードは直径25 µmの有効受光面を有しており、最大100 Gbps PAM4の通信速度に適しています。
56G フォトダイオード、波長850 nm
このPINフォトダイオードは直径38 µmの有効受光面を有しており、最大56 Gbps PAM4の通信速度に適しています。
25G フォトダイオード、波長850 nm
このPINフォトダイオードは直径42 µmの有効受光面を有しており、最大25 Gbpsの通信速度に適しています。
14G フォトダイオード、波長850 nm
直径55 µmの有効受光面を有するこのPINフォトダイオードは、最大14 Gbpsの通信速度に合わせて設計されています。
10G フォトダイオード、波長850 nm
このPINフォトダイオードは直径70 µmの有効受光面を有しており、最大10 Gbpsの通信速度に適しています。
国によっては、この製品ラインナップと製品情報が異なる場合があります。技術、装備、価格及び提供アクセサリーは変更されることがあります。 現地担当者に問い合わせて、国内で製品を入手できるかどうかを確認してください。
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