Grazie alla nostra decennale competenza nello sviluppo e nella produzione di diodi PIN da 850 nm, i fotodiodi high speed di TRUMPF soddisfano i massimi requisiti in merito a prestazioni, efficienza e affidabilità. Sono disponibili per velocità di trasmissione fino a 112 Gbps, rispettivamente come chip o array.
Beneficiate di alta reattività e allo stesso tempo di bassa corrente scura.
Numerose procedure di test e qualificazione assicurano la massima affidabilità.
Oltre ai fotodiodi con una lunghezza d'onda di 850 nm, sono disponibili anche lunghezze d'onda maggiori.
Oltre ai fotodiodi, TRUMPF propone anche Highspeed VCSEL, ovvero coppie abbinate tra loro.
Il supporto ideale per i nostri Datacom VCSEL.
Questo fotodiodo PIN ha una superficie attiva con diametro di 25 µm ed è idoneo per velocità di trasmissione dati fino a 100 Gbps PAM4.
Questo fotodiodo PIN ha una superficie attiva con diametro di 38 µm ed è idoneo per velocità di trasmissione dati fino a 56 Gbps PAM4.
Questo fotodiodo PIN ha una superficie attiva con diametro di 42 µm ed è idoneo per velocità di trasmissione dati fino a 25 Gbps.
Con una superficie attiva con diametro di 55 µm, questo fotodiodo PIN è progettato per velocità di trasmissione dati fino a 14 Gbps.
Questo fotodiodo PIN ha una superficie attiva con diametro di 70 µm ed è idoneo per velocità di trasmissione dati fino a 10 Gbps.
Sono possibili scostamenti da questa gamma di prodotti e da questi dati in funzione del paese. Con riserva di modifiche relative a tecnica, dotazione, prezzo e offerta di accessori. Contattare il proprio interlocutore locale per sapere se il prodotto è disponibile nel proprio paese.
