A 850 nm PIN diódák fejlesztésében és gyártásában szerzett több évtizedes szakmai tapasztalatunk révén a TRUMPF Highspeed fotodiódák megfelelnek a legmagasabb teljesítménnyel, hatékonysággal és megbízhatósággal szemben támasztott igényeknek. Legfeljebb 112 Gbps adatátviteli sebességekhez állnak rendelkezésre, mindenkor chip vagy tömb formájában.
Profitáljon a nagyfokú válaszérzékenységből miközben alacsony a nyugalmi áram.
Az átfogó tesztelési és minősítési eljárások a legnagyobb megbízhatóságot nyújtják.
A 850 nm hullámhosszú fotodiódák mellett hosszabb hullámhosszok is rendelkezésre állnak.
A fotodiódák mellett a TRUMPF Highspeed VCSEL-eket is kínál, azaz összehangolt párosítást.
A megfelelő ellendarab a Datacom VCSEL-ünkhöz.
Ez a PIN fotodióda 25 µm-es átmérőjű aktív felülettel rendelkezik, és legfeljebb 100 Gbit/s PAM4 adatátviteli sebességhez alkalmas.
Ez a PIN fotodióda 38 µm-es átmérőjű aktív felülettel rendelkezik, és legfeljebb 56 Gbit/s PAM4 adatátviteli sebességhez alkalmas.
Ez a PIN fotodióda 42 µm-es aktív felülettel rendelkezik az átmérőben, és legfeljebb 25 Gbps adatátviteli sebességhez alkalmas.
Ez a PIN fotodióda 55 µm-es aktív felülettel az átmérőben legfeljebb 14 Gbps adatátviteli sebességhez alkalmas.
Ez a PIN fotodióda 70 µm-es aktív felülettel rendelkezik az átmérőben, és legfeljebb 10 Gbps adatátviteli sebességhez alkalmas.
Országonként eltérések lehetnek a termékválasztékban és ezekben az adatokban. A technika, felszereltség, ár és tartozékkínálat változtatásának jogát fenntartjuk. Kérjük, lépjen kapcsolatba a helyi kapcsolattartójával, hogy megtudja, hogy a termék az Ön országában rendelkezésre áll-e.
