Ország/régió és nyelv kiválasztása
Datacom függőleges üregfelület-kibocsátó lézer & fotodiódák

Fotodiódák

Nagysebességű fotodiódák akár 112 Gbit/s adatátviteli sebességgel

TRUMPF Datacom Photodiode Fausto array
TRUMPF Datacom Photodiode Fausto array
Datacom függőleges üregfelület-kibocsátó lézer & fotodiódák

Fotodiódák

Kiváló minőségű PIN diódák. Elérhető 5 G, 10 G, 14 G, 25 G, 56 G és 100 G fotodióda termékváltozatokban

Highspeed fotodiódák

A 850 nm PIN diódák fejlesztésében és gyártásában szerzett több évtizedes szakmai tapasztalatunk révén a TRUMPF Highspeed fotodiódák megfelelnek a legmagasabb teljesítménnyel, hatékonysággal és megbízhatósággal szemben támasztott igényeknek. Legfeljebb 112 Gbps adatátviteli sebességekhez állnak rendelkezésre, mindenkor chip vagy tömb formájában.

Alacsony sötétáram

Profitáljon a nagyfokú válaszérzékenységből miközben alacsony a nyugalmi áram.

Nagyfokú megbízhatóság

Az átfogó tesztelési és minősítési eljárások a legnagyobb megbízhatóságot nyújtják.

Hosszabb hullámhosszok

A 850 nm hullámhosszú fotodiódák mellett hosszabb hullámhosszok is rendelkezésre állnak.

Párban állnak rendelkezésre

A fotodiódák mellett a TRUMPF Highspeed VCSEL-eket is kínál, azaz összehangolt párosítást.

VCSEL Insights: Teljesítmény moduláció 850nm 100Gbps PAM4
TRUMPF Datacom Photodiode Fausto array
Chip vagy tömb

A fotodiódák az optikai adatkommunikációhoz nem csak különböző adatátviteli sebességekkel és hullámhosszokkal, hanem mindenkor 1x1 chip, vagy 1x2, 1x4, 1x8 vagy 1x12 tömb formájában is rendelkezésre állnak

Vevő elem a következőkhöz: Transceiver, AOC és On-Board-Optics

A megfelelő ellendarab a Datacom VCSEL-ünkhöz.

TRUMPF Datacom Photodiode Fausto array

100G fotodióda 840 - 960 nm-el

Ez a PIN fotodióda 25 µm-es átmérőjű aktív felülettel rendelkezik, és legfeljebb 100 Gbit/s PAM4 adatátviteli sebességhez alkalmas.

56G fotodióda 850 nm-el

Ez a PIN fotodióda 38 µm-es átmérőjű aktív felülettel rendelkezik, és legfeljebb 56 Gbit/s PAM4 adatátviteli sebességhez alkalmas.

25G fotodióda 850 nm-el

Ez a PIN fotodióda 42 µm-es aktív felülettel rendelkezik az átmérőben, és legfeljebb 25 Gbps adatátviteli sebességhez alkalmas.

14G fotodióda 850 nm-el

Ez a PIN fotodióda 55 µm-es aktív felülettel az átmérőben legfeljebb 14 Gbps adatátviteli sebességhez alkalmas.

10G fotodióda 850 nm-el

Ez a PIN fotodióda 70 µm-es aktív felülettel rendelkezik az átmérőben, és legfeljebb 10 Gbps adatátviteli sebességhez alkalmas.

Országonként eltérések lehetnek a termékválasztékban és ezekben az adatokban. A technika, felszereltség, ár és tartozékkínálat változtatásának jogát fenntartjuk. Kérjük, lépjen kapcsolatba a helyi kapcsolattartójával, hogy megtudja, hogy a termék az Ön országában rendelkezésre áll-e.

Ezek a témák is érdekelhetik Önt

A TRUMPF VCSEL lézerek támogatják az összes elterjedt protokollt
Adatkommunikáció

Milyen szerepük van a VCSEL‑eknek és a fotodiódáknak az adatkommunikációban? Ezen az oldalon megtudhatja, hogy miért ez a két technológia a tökéletes megoldás a modern szélessávú internethez és a hozzá tartozó audiovizuális alkalmazásokhoz, például a HD/4K televíziózáshoz és streaming szolgáltatásokhoz.

Optikai adatátvitel

Mit értünk optikai adatátvitel alatt, és milyen szerepet játszik a két kulcsfontosságú összetevő, a VCSEL és a fotodiódák, a nagy adatközpontokban? Ennek minden részletét megtudhatja az alkalmazásokat bemutató oldalunkon.

TRUMPF Datacom VCSEL Areion tömb
TRUMPF VCSEL

A TRUMPF nagysebességű VCSEL‑ek megbízható adatátvitelt tesznek lehetővé alacsony teljesítményfelvétel mellett. A termékkínálat tartalmaz akár 100 Gbps adatátviteli sebességet biztosító egyedi sugárzókat és VCSEL tömböket is.

Kapcsolat
Photonic Components értékesítése
E-mail
Letöltések
Szerviz & kapcsolat