A High Power Seed Module (HPSM) két néhány watt erősségű kezdeti impulzust létrehozó Seedlaser-ből, valamint számos aktív és passzív optikai komponensből áll, amelyek a lézersugarat formázzák, és gondoskodnak az optimális impulzushosszról. Az első erősítővel a fény 100 W-os nagyságrendre előerősítésre kerül. A Seedlaser-eket a védőmechanizmusok optimálisan védik a tükröződésektől, így a teljes rendszer stabilitása jelentősen megnő, és elérhető a szükséges állandó EUV teljesítmény.
A lézerimpulzussal megadja az alapot a jövő mikrochipjeinek gyártásához.
EUV litográfia a digitális korszak elősegítője
Az EUV litográfia megnyeri a jövő mikrochipjeinek gyártási módszerének versenyét. A félvezető gyártás ágazatban sok éve keresték a költséghatékony és tömeggyártásra alkalmas eljárást, amellyel még kisebb struktúrák világíthatók le a szilícium lapkákra. Az ASML, a Zeiss és a TRUMPF partnerekként kifejlesztettek egy technológiát, hogy az extrém ultraibolya (EUV), 13,5 nanométeres hullámhosszú fény ipari használatra alkalmas legyen: egy csepp-generátor egy vákuumkamrában másodpercenként 50 000 apró óncseppet csepegtet. Ezen cseppek mindegyikét éri az 50 000 lézerimpulzus valamelyike, és plazmává alakítja azt. Ezáltal EUV fény jön létre, amelyet tükörrel a levilágítandó lapkára irányítanak. A plazmasugárzáshoz való lézerimpulzust egy a TRUMPF által kifejlesztett, impulzusos CO2 lézerrendszer adja – ez a TRUMPF Laser Amplifier.
A TRUMPF Laser Amplifier a lézerimpulzust szekvenciálisan több mint a 10 000-szeresére erősíti fel.
Egy elő- és fő impulzus kibocsátása révén a Laser Amplifier teljes teljesítménye átvihető az óncseppre.
A nagy teljesítményű lézerrendszer alapja a CO2 lézer folyamatos hullámú üzemben. Ezzel a TRUMPF a technológia új alkalmazását teremti meg.
A TRUMPF, az ASML és a ZEISS sokéves szoros együttműködésben iparéretté tette az EUV technológiát.