Grâce à nos décennies d'expérience dans le développement et la fabrication de diodes PIN de 850 nm, les photodiodes ultrarapides de TRUMPF répondent aux plus fortes exigences en matière de puissance, d'efficacité et de fiabilité. Elles sont disponibles pour des débits de données allant jusqu'à 112 Gbit/s, sous forme de puces ou de matrices.
Bénéficiez à la fois d'une grande sensibilité de réaction et d'un courant d'obscurité réduit.
Des procédures de test et de qualification très complètes garantissent une fiabilité maximale.
Outre les photodiodes avec 850 nm de longueur d'onde, des longueurs d'onde plus élevées sont également disponibles.
Outre des photodiodes, TRUMPF propose également des VCSEL ultrarapides, c'est-à-dire des paires adaptées les unes aux autres.
La contrepartie adaptée à notre VCSEL de transmission de données.
Cette photodiode PIN dispose d'une surface active de 25 µm de diamètre et est adaptée à des débits allant jusqu'à 100 Gbit/s PAM‑4.
Cette photodiode PIN dispose d'une surface active de 38 µm de diamètre et est adaptée à des débits allant jusqu'à 56 Gbit/s PAM-4.
Cette photodiode de broche dispose d'une surface active de 42 µm de diamètre et est adaptée à des débits allant jusqu'à 25 Gbit/s.
Avec sa surface active de 55 µm de diamètre, cette photodiode de broche est conçue pour des débits allant jusqu'à 14 Gbit/s.
Cette photodiode de broche dispose d'une surface active de 70 µm de diamètre et est adaptée à des débits allant jusqu'à 10 Gbit/s.
Il peut y avoir des différences par rapport à cette gamme de produits et à ces indications dans certains pays. Sous réserve de modification de la technologie, de l’équipement, du prix et de l’offre d’accessoires. Veuillez contacter votre interlocuteur local, afin de savoir si le produit est disponible dans votre pays.
