Gracias a nuestras décadas de experiencia en el desarrollo y fabricación de diodos PIN de 850 nm, los fotodiodos de alta velocidad de TRUMPF satisfacen las más altas exigencias de rendimiento, eficiencia y fiabilidad. Están disponibles para velocidades de transmisión de datos de hasta 112 Gbps, en forma de chip o matriz respectivamente.
Benefíciese de una alta sensibilidad de respuesta con baja corriente oscura al mismo tiempo.
Los exhaustivos procedimientos de prueba y calificación garantizan la máxima fiabilidad.
Además de los fotodiodos con longitud de onda de 850 nm, también están disponibles longitudes de onda más largas.
Además de fotodiodos, TRUMPF también ofrece VCSEL de alta velocidad, es decir emparejados.
La contraparte correspondiente a nuestro Datacom VCSEL.
Este fotodiodo PIN tiene un área activa de 25 µm de diámetro y es adecuado para velocidades de datos de hasta 100 Gbps PAM4.
Este fotodiodo PIN tiene un área activa de 38 µm de diámetro y es adecuado para velocidades de datos de hasta 56 Gbps PAM4.
Este fotodiodo PIN tiene un área activa de 42 µm de diámetro y es adecuado para velocidades de datos de hasta 25 Gbps.
Con un área activa de 55 µm de diámetro, este fotodiodo PIN está diseñado para velocidades de datos de hasta 14 Gbps.
Este fotodiodo PIN tiene un área activa de 70 µm de diámetro y es adecuado para velocidades de datos de hasta 10 Gbps.
Dependiendo del país, es posible que existan diferencias con respecto a esta gama de productos y a estos datos. Nos reservamos el derecho a realizar modificaciones en la técnica, equipamiento, precio y oferta de accesorios. Póngase en comunicación con su persona de contacto en su zona para saber si el producto está disponible en su país.
