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Whitepaper Power Electronics

All our white papers are available for download

PDF - 814 KB
Vielseitige und effiziente Halbleiter-Leistungsverstärker-Architektur
Transistorbasierte Leistungsverstärker für den Einsatz in Teilchenbeschleunigern erfordern hohle Leistungen. Aufgrund der limitierten Leistung eines einzelnen Transistors erfordert die Zielanwendung die Kombination zahlreicher Transistoren. Zudem fordert der Markt Verstärkersysteme mit unterschiedlichen Frequenzen und Leistungsklassen. Um dies bestmöglich mit einer ähnlichen Systemarchitektur abzudecken, haben wir die TruAccelerate Plattform entwickelt.
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Solid-State-Leistungsverstärkersystem für Teilchenbeschleuniger mit einzigartiger Hot-Swap-Funktion, die voller Rückstrahlung standhält
In diesem WhitePaper stellen wir eine Hot-Swap Technologie vor, welche es ermöglicht einzelne ausgefallene Leistungsverstärkermodule im laufenden Betrieb unter ambitionierten Reflektionsanforderungen auszutauschen. Dabei ist ein besonderes Augenmerk auf die Architektur des Combiners und der kontrollierten Isolierung der Module zu legen.
PDF - 1 MB
Meantime Between Failures (MTBF) und jährlicher Ausfallrate (AFR) aus einer Großinstallation von Solid-State-Leistungsverstärkern
Die Verfügbarkeit von Teilchenbeschleunigern ist ein entscheidender Faktor. Aufgrund der komplexen Technologie erfordert die Identifizierung der einzelnen Fehlerentstehungen und eine zuverlässige Ausfallabschätzung eine genaue Verfügbarkeitsbewertung.
PDF - 715 KB
Auf die Form kommt es an: Bipolares Sputtern
In diesem Artikel werden zwei Merkmale bipolarer Stromversorgungen vorgestellt: (i) ein breiter Pulsfrequenzbereich von bis zu 100 kHz und (ii) eine zusätzliche brake time zwischen der positiven und negativen Halbwelle der rechteckigen Wellenform von Strom und Spannung.
PDF - 941 KB
Sinus oder Rechteck
Seit der Einführung des Dual-Magnetron-Sputterns (DMS) für hochisolierende Schichten besteht die Wahl zwischen square wave pulse und sine wave Stromversorgung.
PDF - 567 KB
Auto Frequency Tuning
Eine Gegenmaßnahme gegen schnelle Schwankungen im Impedanzbereich des Plasmas ist die automatische Frequenzabstimmung, bei der der RF-Generator seine Grundschwingung in einem Zeitrahmen von weniger als einer Millisekunde auf einen Frequenzwert mit besserer Anpassung einstellt.
PDF - 2 MB
Neue gepulste DC-Technologie
Das Gleichstrom- und das gepulste Gleichstrom-Sputtern ist eine der am häufigsten verwendeten Sputtertechniken im industriellen Bereich. Die Einführung der gepulsten Gleichstromtechnik ermöglichte die Massenproduktion von Beschichtungen aus nichtleitenden Verbindungen, die durch reaktives Magnetronsputtern erzeugt werden.
PDF - 1 MB
Spannungsgeregelter Transition Mode
Das reaktive Sputtern ist eine in der modernen Industrie weithin erfolgreiche Methode zur Erzeugung isolierender Beschichtungen und Hartbeschichtungen. Im Vergleich zur Verdampfung bietet das Sputtern die Vorteile der ionengestützten Beschichtung, was es trotz erheblicher Anlagen- und Stromkosten für die Industrie attraktiv macht.
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Arc-Management
Die Entstehung von Arcs bei der MF-Magnetronzerstäubung: Ein bekanntes Problem beim reaktiven Magnetronsputtern ist die Arc-Bildung an den Kathoden.
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LDMOS
In diesem Paper werden die Auswirkungen von leistungskombinierenden Strukturen auf die HF- und thermische Leistung von HF-Hochleistungsverstärkern unter Inkongruenzbedingungen erörtert. 
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HiPIMS - neue Möglichkeiten für die Industrie
High Power Impulse Magnetron Sputtering (HIPIMS) ist das aktuellste PVD-Verfahren (Physical Vapor Deposition), das der Industrie zur Verfügung steht.
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PEALD-Technologie, Radiofrequenz-Signalgenerator und Match-Netzwerke
Bei der Atomic Layer Deposition (ALD) handelt es sich um ein Verfahren, bei dem eine Vielzahl von Dünnschichtmaterialien aus einer Vapor-Phase abgeschieden wird. In mehreren Beschichtungszyklen wird ein sehr dünner Film aus Atomschichten aufgebaut.
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Anwendung von gepulstem DC-Sputtern
Einer der interessantesten Resorptionsstoffe für Solarzellen sind Materialien auf Kupfer-Indium-Selenid-Basis (CIS), deren Eigenschaften durch den Austausch eines Teils des Indiums durch Gallium zu Cu(In,Ga)Se2, bekannt als CIGS, verändert werden können.
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Präzision in der Verarbeitung
Kontinuierliche Verbesserungen der Halbleiterfertigungsprozesse sind Voraussetzung, um eine ständige Reduktion der Größe zu gewährleisten. Dies wiederum erfordert RF-Generatoren, die eine immer höhere Signalqualität in Bezug auf Ausgangsleistung und Zeitauflösung liefern.
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DC power für die Widerstandserwärmung in präzisen MOCVD-Prozessen
Die Metal Organic Chemical Vapor Phase Deposition (MOCVD) ist ein hochkomplexes Verfahren für das Wachstum kristalliner Schichten. MOCVD wird z. B. bei der Herstellung von Leuchtdioden (LEDs), Lasern, Transistoren, Solarzellen und anderen elektronischen und opto-elektronischen Bauelementen eingesetzt und ist die Schlüsseltechnologie für Zukunftsmärkte mit hohem Wachstumspotenzial. Die TruHeat DC 3000 ist der perfekte Kandidat für diese Anwendungen.
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Induktive Erwärmung - Anwendungen und Herausforderungen für die Halbleiterindustrie
TRUMPF Hüttinger bietet eine breite Palette von Prozessstromversorungen, Außenkreisen, Induktoren und Zubehör an, die bereits erfolgreich für Kristallzucht- und Epitaxieprozesse bei einer Reihe von Key Playern der SiC- und GaN-Industrie eingesetzt werden.
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Neuartige Spannungsregelung für C&I-Speicher, die einen nahtlosen Übergang zwischen Netzanschluss und Inselbetrieb ermöglicht
Besitzt ein Batteriespeichersystem die Fähigkeit, zusätzlich zum netzgebundenen Betrieb auch lokale Netze zu bilden und zu betreiben, so ergeben sich für den Betreiber aus der erhöhten Resilienz, Robustheit und Sicherheit entscheidende Vorteile. Dazu zählt insbesondere der nahtlose Weiterbetrieb seiner Anlagen im Falle eines Ausfalls des Versorgungsnetzes.
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DC Coupling: Der effiziente Weg
Mit den sinkenden Kosten der Energiespeicherung werden PV-gekoppelte Speicheranwendungen für ein breites Spektrum von Anwendungen immer attraktiver.
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Einstufiger Drei-Punkt-Wechselrichter
Die Kosten- und Energieeffizienz von AC-gekoppelten Batteriesystemen für hohe Spannungen hängt von der Leistungselektronik ab, die für den Anschluss der Batterie an das Netz benötigt wird. In diesem Artikel werden die Anforderungen und Abhängigkeiten für einen einstufigen Ansatz erörtert, der Kosten sparen und die Systemeffizienz erhöhen kann.
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Hocheffizienter und innovativer GaN-Generator im 2,45-GHz-ISM-Band für Hightech-Mikrowellenanwendungen
Das Haupthindernis und der größte Nachteil bei der Industrialisierung von Mikrowellenprozessen war bisher der Mangel an "Möglichkeiten". Bislang standen nur mechanisch bewegte Komponenten wie rotierende Platten, Rührwerke usw. zur Verfügung, um die Homogenität des Erwärmungsprozesses zu beeinflussen und eine gezielte Temperaturverteilung und einen reproduzierbaren Erwärmungsprozess zu ermöglichen.
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