Durch unsere jahrzehntelange Erfahrung in der Entwicklung und Herstellung von 850 nm PIN Dioden erfüllen TRUMPF Highspeed Photodioden höchste Ansprüche an Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit. Sie sind verfügbar für Datenraten bis zu 112 Gbps, jeweils als Chip oder Array.
Profitieren Sie von einer hohen Ansprechempfindlichkeit bei gleichzeitig niedrigem Dunkelstrom.
Umfangreiche Test- und Qualifikationsprozeduren stellen höchste Zuverlässigkeit sicher.
Neben Photodioden mit 850 nm Wellenlänge, sind auch längere Wellenlängen verfügbar.
Neben Photodioden bietet TRUMPF auch Highspeed VCSEL an, also aufeinander abgestimmte Paare.
Das passende Gegenstück zu unseren Datacom VCSEL.
Diese PIN Photodiode verfügt über eine aktive Fläche mit Durchmesser 25 µm und ist für Datenraten bis 100 Gbps PAM4 geeignet.
Diese PIN Photodiode verfügt über eine aktive Fläche mit Durchmesser 38 µm und ist für Datenraten bis 56 Gbps PAM4 geeignet.
Diese PIN Photodiode hat eine aktive Fläche von 42 µm im Durchmesser und eignet sich für Datenraten bis 25 Gbps.
Mit einer aktiven Fläche von 55 µm im Durchmesser ist diese PIN Photodiode für Datenraten bis 14 Gbps ausgelegt.
Diese PIN Photodiode verfügt über eine aktive Fläche von 70 µm im Durchmesser und ist für Datenraten bis 10 Gbps geeignet.
Je nach Land sind Abweichungen von diesem Produktsortiment und von diesen Angaben möglich. Änderungen in Technik, Ausstattung, Preis und Zubehörangebot sind vorbehalten. Bitte setzen Sie sich mit Ihrem Ansprechpartner vor Ort in Verbindung, um zu erfahren, ob das Produkt in Ihrem Land verfügbar ist.
