Díky našim mnohaletým zkušenostem ve vývoji a výrobě PIN diod 850 nm splňují vysokorychlostní fotodiody společnosti TRUMPF nejvyšší nároky na výkon, efektivitu a spolehlivost. Jsou dostupné pro přenosové rychlosti až do 112 Gbps, v současnosti jako čip nebo Array.
Využijte vysoké citlivosti detekce při současně nízkém temném proudu.
Rozsáhlé testovací a kvalifikační procedury zajišťují nejvyšší spolehlivost.
Kromě fotodiod s vlnovou délkou 850 nm, jsou dostupné také delší vlnové délky.
Kromě fotodiod nabízí TRUMPF také vysokorychlostní VCSEL, tedy vzájemně sladěné páry.
Vhodný doplněk k našemu Datacom VCSEL.
Tato PIN fotodioda disponuje aktivní plochou o průměru 25 µm a je vhodná pro přenosové rychlosti až 100 Gbps PAM4.
Tato PIN fotodioda disponuje aktivní plochou o průměru 38 µm a je vhodná pro přenosové rychlosti až 56 Gbps PAM4.
Tato PIN fotodioda má aktivní plochou o průměru 42 µm a hodí se pro přenosové rychlosti až 25 Gbps.
Se svou aktivní plochou o průměru 55 µm je PIN fotodioda dimenzována pro přenosové rychlosti až 14 Gbps.
Tato PIN fotodioda disponuje aktivní plochou o průměru 70 µm a je vhodná pro přenosové rychlosti až 10 Gbps.
V závislosti na zemi se může tento produktový sortiment a tyto údaje lišit. Změny techniky, vybavení, cena a nabídka příslušenství jsou vyhrazeny. Pro zjištění dostupnosti výrobku ve vaší zemi prosím kontaktujte svoji kontaktní osobu.
