Fotodiody pro optickou datovou komunikaci jsou dostupné nejenom v různých přenosových rychlostech a vlnových délkách, nýbrž nyní také jako 1x1 čip nebo 1x4 nebo 1x12 Array.
Vysokorychlostní fotodiody
Díky našim mnohaletým zkušenostem ve vývoji a výrobě PIN diod 850 nm splňují vysokorychlostní fotodiody společnosti TRUMPF nejvyšší nároky na výkon, efektivitu a spolehlivost. Jsou dostupné pro přenosové rychlosti až do 100 Gbps, v současnosti jako čip nebo Array.
Využijte vysoké citlivosti detekce při současně nízkém temném proudu.
Rozsáhlé testovací a kvalifikační procedury zajišťují nejvyšší spolehlivost.
Kromě fotodiod s vlnovou délkou 850 nm, jsou dostupné také delší vlnové délky.
Kromě fotodiod nabízí TRUMPF také vysokorychlostní VCSEL, tedy vzájemně sladěné páry.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/c/1/csm_Photonics-applications-datacom-datacenter_dff49fce2f_3c32a771e8.jpg)
Přijímací prvek pro Transceiver, AOC a On-Board-Optics
Vhodný doplněk k našemu Datacom VCSEL.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/e/8/csm_Photonics-Datacom-56G-Photodiode-product-picture_160355ffbf_279991b067.jpg)
100G fotodioda s 840 - 960 nm
Tato PIN fotodioda disponuje aktivní plochou o průměru 25 µm a je vhodná pro přenosové rychlosti až 100 Gbps PAM4.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/0/0/csm_Photonics-Datacom-56G-Photodiode-product-picture_f44de09460_f67c46f9ca.jpg)
56G fotodioda s 850 nm
Tato PIN fotodioda disponuje aktivní plochou o průměru 38 µm a je vhodná pro přenosové rychlosti až 56 Gbps PAM4.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/f/1/csm_Photonics-Datacom-25G-Photodiode-product-picture_dd2004c2d5_f4c3e03842.jpg)
25G fotodioda s 850 nm
Tato PIN fotodioda má aktivní plochou o průměru 42 µm a hodí se pro přenosové rychlosti až 25 Gbps.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/2/f/csm_Photonics-Datacom-14G-Photodiode-product-picture_834664957c_88110ff235.jpg)
14G fotodioda s 850 nm
Se svou aktivní plochou o průměru 55 µm je PIN fotodioda dimenzována pro přenosové rychlosti až 14 Gbps.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/2/d/csm_Photonics-Datacom-10G-Photodiode-product-picture_2f37663504_804046797e.jpg)
10G fotodioda s 850 nm
Tato PIN fotodioda disponuje aktivní plochou o průměru 70 µm a je vhodná pro přenosové rychlosti až 10 Gbps.
V závislosti na zemi se může tento produktový sortiment a tyto údaje lišit. Změny techniky, vybavení, cena a nabídka příslušenství jsou vyhrazeny. Pro zjištění dostupnosti výrobku ve vaší zemi prosím kontaktujte svoji kontaktní osobu.