High Power Seed Module (HPSM) sestává ze dvou seedlaserů, které vytvářejí výstupní impulzy o intenzitě několika málo wattů, a dále z řady aktivních a pasivních optických komponent, které tvarují laserový paprsek a zajišťují optimální dobu trvání impulzu. Pomocí prvního zesilovače se světlo předem zesílí na řádovou hodnotu 100 W. Seedlasery jsou optimálně chráněny ochrannými mechanismy před zpětnými odrazy, takže stabilita celého systému je maximálně zvýšena a je možné dosáhnout požadovaného konstantního výkonu EUV.
Díky laserovému impulzu poskytuje základ pro výrobu budoucích mikročipů.
EUV litografie jako průkopník digitální epochy
EUV litografie vyhrává souboj o výrobní metodu pro budoucí mikročipy. Mnoho let hledal polovodičový průmysl cenově efektivní metodu vhodnou pro sériovou výrobu, pomocí které by bylo možné osvítit ještě menší struktury na křemíkových waferech. Společnosti ASML, Zeiss a TRUMPF společně vyvinuly technologii vytváření extrémně ultrafialového světla (EUV) s vlnovou délkou 13,5 nm pro průmyslové použití: generátor kapiček vystřeluje ve vakuové komoře 50 000 nejmenších kapek cínu za sekundu. Každá z těchto kapek je zasažena jedním z 50 000 laserových impulzů a následně přeměněna na plazma. Tak vzniká EUV světlo, které je pomocí zrcadla odkloněno na wafer za účelem jeho osvětlení. Laserový impulz pro vyzařování plazmatu poskytuje pulzní laserové zařízení CO2 vyvinuté společností TRUMPF – TRUMPF Laser Amplifier.
TRUMPF Laser Amplifier postupně zesiluje laserový impulz na více než 10 000násobek.
Díky vyzařování předimpulzu a hlavního impulzu lze kompletní výkon zařízení Laser Amplifier přenést na kapku cínu.
Základem vysoce výkonného laserového systému je CO2 laser v kontinuálním režimu. Společnost TRUMPF díky tomu vytváří nové využití této technologie.
V průběhu dlouholeté úzké spolupráce dovedly společnosti TRUMPF, ASML a ZEISS technologii EUV do fáze připravenosti pro průmyslové použití.