Фотодиодите за оптичен обмен на данни са налични не само в различни скорости за предаване на данни и дължини на вълната, но и съответно като 1x1 чип или 1x4 или 1x12 матрица.
Високоскоростни фотодиоди
Благодарение на нашите дългогодишни усилия за разработването и производството на 850 nm PIN диоди, високоскоростните фотодиоди на TRUMPF отговарят на най-високите изисквания за мощност, ефективност и надеждност. Те са налични за скорости за предаване на данни до 100 Gbps, съответно като чип или матрица.
Възползвайте се от високата чувствителност и същевременно малък ток на тъмно.
Комплексните процедури за изпитване и атестация гарантират най-висока надеждност.
Освен фотодиоди с дължина на вълната 850 nm, са налични и по-големи дължини на вълната.
Освен фотодиоди, TRUMPF предлага и високоскоростни VCSEL, следователно в съгласувани една спрямо друга двойки.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/c/1/csm_Photonics-applications-datacom-datacenter_dff49fce2f_3c32a771e8.jpg)
Приемащ елемент за приемо-предаватели, АОС и оптика върху платки
Подходящият допълващ елемент за нашия VCSEL за даннова комуникация.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/e/8/csm_Photonics-Datacom-56G-Photodiode-product-picture_160355ffbf_279991b067.jpg)
100G фотодиод с 840 - 960 nm
Този PIN фотодиод разполага с активна площ с диаметър 25 μm и е подходящ за скорост на предаване на данни до 100 Gbps PAM4.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/0/0/csm_Photonics-Datacom-56G-Photodiode-product-picture_f44de09460_f67c46f9ca.jpg)
56G фотодиод с 850 nm
Този PIN фотодиод разполага с активна площ с диаметър 38 μm и е подходящ за скорост на предаване на данни до 56 Gbps PAM4.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/f/1/csm_Photonics-Datacom-25G-Photodiode-product-picture_dd2004c2d5_f4c3e03842.jpg)
25G фотодиод с 850 nm
Този PIN фотодиод има активна площ с диаметър 42 μm и е подходящ за скорост на предаване на данни до 25 Gbps.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/2/f/csm_Photonics-Datacom-14G-Photodiode-product-picture_834664957c_88110ff235.jpg)
14G фотодиод с 850 nm
С активна площ с диаметър 55 μm този PIN фотодиод е подходящ за скорост на предаване на данни до 14 Gbps.
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/2/d/csm_Photonics-Datacom-10G-Photodiode-product-picture_2f37663504_804046797e.jpg)
10G фотодиод с 850 nm
Този PIN фотодиод разполага с активна площ с диаметър 70 μm и е подходящ за скорост на предаване на данни до 10 Gbps.
Възможни са отклонения от този продуктов асортимент и от тези данни в зависимост от държавата. Запазваме си правото на изменения в технологията, оборудването, цената или предложението за окомплектоване. Моля, свържете се с Вашия местен търговски представител, за да научите дали продуктът се предлага във Вашата страна.
![High speed VCSELs and photodiodes High speed VCSELs and photodiodes](/filestorage/TRUMPF_Master/_processed_/9/2/csm_TRUMPF-Photonic-Components-Flyer-High-speed-VCSELs-photodiodes_7be3fda598.png)