Благодарение на нашите дългогодишни усилия за разработването и производството на 850 nm PIN диоди, високоскоростните фотодиоди на TRUMPF отговарят на най-високите изисквания за мощност, ефективност и надеждност. Те са налични за скорости за предаване на данни до 112 Gbps, съответно като чип или матрица.
Възползвайте се от високата чувствителност и същевременно малък ток на тъмно.
Комплексните процедури за изпитване и атестация гарантират най-висока надеждност.
Освен фотодиоди с дължина на вълната 850 nm, са налични и по-големи дължини на вълната.
Освен фотодиоди, TRUMPF предлага и високоскоростни VCSEL, следователно в съгласувани една спрямо друга двойки.
Подходящият допълващ елемент за нашия VCSEL за даннова комуникация.
Този PIN фотодиод разполага с активна площ с диаметър 25 μm и е подходящ за скорост на предаване на данни до 100 Gbps PAM4.
Този PIN фотодиод разполага с активна площ с диаметър 38 μm и е подходящ за скорост на предаване на данни до 56 Gbps PAM4.
Този PIN фотодиод има активна площ с диаметър 42 μm и е подходящ за скорост на предаване на данни до 25 Gbps.
С активна площ с диаметър 55 μm този PIN фотодиод е подходящ за скорост на предаване на данни до 14 Gbps.
Този PIN фотодиод разполага с активна площ с диаметър 70 μm и е подходящ за скорост на предаване на данни до 10 Gbps.
Възможни са отклонения от този продуктов асортимент и от тези данни в зависимост от държавата. Запазваме си правото на изменения в технологията, оборудването, цената или предложението за окомплектоване. Моля, свържете се с Вашия местен търговски представител, за да научите дали продуктът се предлага във Вашата страна.
